9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的NSB8JT-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSB8JT-E3/45参考价格0.50589美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division NSB8JT-E3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB。您可以下载NSB8JT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NSB8JT-E3/45价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
NSB8GTHE3_A/I，带有引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB，提供表面安装等安装类型功能，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@400V，设备提供1.1V@8A电压正向Vf Max。如果，设备具有400V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为55pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的NSB8GTHE3_A/P，包括1.1V@8A正向电压Vf Max，如果设计为在400V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了管交替封装外，该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电流平均整流Io为8A，电容Vr F为55pF@4V，1MHz。
NSB8JT-E3/31是VISHAY制造的600V 8A 3引脚（2+Tab）TO-263AB T/R二极管。NSB8JT-E3/31采用TO-263封装，是IC芯片的一部分，支持二极管600V 8A 3引脚（2+Tab）TO-263AB T/R。
