9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5407-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5407-E3/54参考价格0.50000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5407-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD。您可以下载1N5407-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如1N5407-E3/54价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N5407-B是DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD，包括1N54系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AD，轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-201AD，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@800V，电压正向Vf Max If为1V@3A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为25pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，最大工作温度范围为+150°C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为200 A。
1N5407-E3/51是DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD，包括1.2V@3A正向电压Vf Max。如果设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-201AD，提供速度特性，如标准恢复＞500ns，＞200mA（Io），以及DO-201AD轴向封装外壳，其工作温度范围为-50°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@800V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz。
1N5407BRLG，带有ON制造的电路图。1N5407BRL G在DO-201封装中提供，是IC芯片的一部分。
