9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGP20B-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGP20B-E3/73参考价格$0.302。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGP20B-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC。您可以下载EGP20B-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EGP20B-E3/54是DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC，包括SUPERECTIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.012346盎司，安装样式设计用于通孔，以及SUPERECTFIER商标，该装置也可以用作DO-204AC、DO-15、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-204AC（DO-15）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为950mV@2A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为70pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为0.95 V，Vr反向电压为100 V，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为2A，则最大浪涌电流为75A，并且恢复时间为50ns。
EGP20B是DIODE GEN PURP 100V 2A DO15，包括100V Vr反向电压，它们设计为在950mV@2A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了100V中使用的电压DC反向Vr Max，提供0.95 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.010582盎司，以及DO-15供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备在50ns恢复时间内提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，Pd功耗为3.15W，包装为切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AC、DO-15、轴向，其工作温度结合范围为-65°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为75 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为5μA@100V，平均整流电流Io为2A，并且配置为Single，电容Vr F为70pF@4V，1MHz。
带有电路图的EGP20A-TP，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在5μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳，该装置也可以用作切割带（CT）包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有DO-15供应商设备包，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@2A。
