9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的S1JLWHRVG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1JLWHRVG参考价格为0.08951美元。台湾半导体公司S1JLWHRVG封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W。您可以下载S1JLWHRVG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1JHE3_A/I带有引脚细节，包括S1J系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），其工作温度范围为-55 C至+150 C，包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及表面安装型，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有1μa@600V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为12pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为1.8 us。
带有用户指南的S1JHM3/61T，包括1.1V@1A电压正向Vf最大值。如果设计为在600V电压直流反向Vr最大值下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.8μs，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为12pF@4V，1MHz。
S1JL为1A 600V整流器，包括单一配置，其设计工作电流为1 a。如果数据表注释中显示正向电流、Ir反向电流为5 uA，其最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流为30 a，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，包装箱为SMA-Sub-2，该设备采用卷筒包装，该设备具有零件别名R2，产品为标准恢复整流器，恢复时间为1.5 us，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V。
S1JL-01带有SEP制造的EDA/CAD模型。S1JL-01以SOD-123封装形式提供，是IC芯片的一部分。
