9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MURS140HE3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURS140HE3_A/I价格参考0.18150美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MURS140HE3_A/I封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA。您可以下载MURS140HE3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MURS140-13-F是DIODE GEN PURP 400V 1A SMB，包括MURS140系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003280盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA，SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMB，设备为单配置，设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电压正向Vf Max If为1.25V@1A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-65 C，1 A时Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为35 A，恢复时间为50ns。
MURS140-E3/52T是DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1.25 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，提供1.25 V正向电压功能，单位重量设计为0.006349盎司，以及DO-214AA（SMB）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为75ns，该设备以75ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为35 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@400V，电流平均整流Io为2A，配置为单一。
MURS140-E3/5BT是DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA，包括单一配置，它们设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于2A，以及5μa Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175℃。此外，最大浪涌电流为35 A，最小工作温度范围是-65℃，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-65°C~175°C，封装盒为DO-214AA，SMB，封装为Digi-ReelR交替封装，产品为超快恢复整流器，恢复时间为75ns，反向恢复时间trr为75ns；速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-214AA（SMB），单位重量为0.006349 oz，Vf正向电压为1.25V，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.25V@1A，Vr反向电压为400V。
