9icnet为您提供Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V20150S-M3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V20150S-M3/4W参考价格为0.72286美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V20150S-M3/4W封装/规格：DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-220AB。您可以下载V20150S-M3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V20150SG-E3/4W是DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO220AB，包括TMBSR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表说明所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.065257盎司，安装样式设计用于通孔，以及TMBS商品名，该设备也可以用作to-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单双阳极，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200μa@150V，电压正向Vf Max If为1.6V@20A，电压反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为20A，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.6 V，Ir反向电流为200 uA，如果正向电流为20 A，Vrm重复反向电压为150 V，Ifsm正向浪涌电流为140A。
V20150SHM3/4W，带用户指南，包括1.43V@20A正向电压Vf Max。如果设计为在150V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220AB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及管包装，该器件也可用作TO-220-3封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为250μa@150V，电流平均整流Io为20A。
V20150SGHM3/4W，带电路图，包括20A电流平均整流Io，它们设计为在150V电流反向泄漏Vr下工作200μa，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供安装型功能，如通孔，工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-220-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-220AB，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为1.6V@20A。
V20150SG-M3/4W，带EDA/CAD型号，包括管封装，它们设计为与to-220AB供应商设备包一起运行，数据表说明中显示了用于to-220-3的封装盒，提供安装型功能，如通孔，二极管类型设计为在肖特基工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，AEC-Q101系列，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件提供20A电流平均整流Io，该器件具有200μa@150V电流反向泄漏Vr，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为1.6V@20A。
