9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的AS3PDHM3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AS3PDHM3_A/I参考价格为0.46200美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division AS3PDHM3_A/I封装/规格：DIODE AVLANCHE 200V 2.1A TO277A。您可以下载AS3PDHM3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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AS3PDHM3/86A是DIODE AVLANCHE 200V 2.1A TO277A，包括eSMPR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了用于to-277，3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于to-277A（SMPC），以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该器件也可以用作雪崩二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@200V，该器件提供920mV@1.5A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为2.1A（DC），反向恢复时间trr为1.2μs，电容Vr F为37pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
AS3PDHM3/87A，带用户指南，包括920mV@1.5A正向电压Vf Max。如果设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计用于eSMPR，以及1.2μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电流平均整流Io为2.1A（DC），电容Vr F为37pF@4V，1MHz。
带有电路图的AS3BJ-M3/5BT，包括40pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于20μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供1.5μs反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AA（SMB），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.05V@3A。
