9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5418-TAP,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5418-TAP参考价格为0.51480美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5418-TAP封装/规格:DIODE-AVALANCHE 400V 3A SOD64。您可以下载1N5418-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5418是DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF,包括快速恢复整流器产品,它们设计用于散装包装,安装方式如数据表注释所示,用于轴向,其工作温度范围为-65 C至+175 C,包装箱设计用于SQ-MELF,B,以及通孔安装类型,该设备也可以用作B,SQ-MELF供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为1μa@400V,电压正向Vf Max If为1.5V@9A,电压直流反向Vr Max为400V,电流平均整流Io为3A,反向恢复时间trr为150ns,其工作温度结范围为-65°C~175°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-65 C,Vf正向电压为1.1 V,Vr反向电压为400 V,Ir反向电流为20 uA,If正向电流为4.5 A,最大浪涌电流为150 A,恢复时间为150 ns。
1N5417US是DIODE GEN PURP 200V 3A D5B,包括1.5V@9A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于D-5B的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,反向恢复时间trr设计为150ns,以及散装包装,该器件也可用作E-MELF封装盒,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该器件为SMD/SMT安装型,该器件具有安装型表面安装,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为1μa@200V,电流平均整流Io为3A。
1N5418JANTX,电路图由AKK制造。1N5418JANTX提供400V 3A 2PIN E封装,是IC芯片的一部分。