9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYT56G-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYT56G-TAP参考价格为0.51480美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYT56G-TAP封装/规格：DIODE AVLANCHE 400V 3A SOD64。您可以下载BYT56G-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYT56D-TR是DIODE AVLANCHE 200V 3A SOD64，包括快速恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.030265盎司的包装，具有通孔等安装样式特征，包装箱设计为SOD-64、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作SOD-64供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，正向电压Vf Max If为1.4V@3A，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为100ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.4 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为80 A，恢复时间为100 ns。
BYT56D-TAP是DIODE AVLANCHE 200V 3A SOD64，包括1.4V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了SOD-64中使用的供应商设备包，该SOD-64提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为100ns、，除了磁带盒（TB）替代封装外，该器件还可以用作SOD-64轴向封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管雪崩型，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为3A。
BYT56G是TFK制造的快速回收整流器。BYT56G采用SOD-64封装，是二极管、整流器-单个的一部分，支持快速恢复整流器。
