9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGP20C-E3/54,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。EGP20C-E3/54参考价格为0.37703美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGP20C-E3/54封装/规格:DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC。您可以下载EGP20C-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EGP20C是DIODE GEN PURP 150V 2A DO15,包括超快恢复整流器产品,它们设计为使用切割胶带(CT)替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.010582盎司,提供安装类型功能,如通孔,包装箱设计用于DO-204AC,DO-15,轴向,以及通孔安装类型,该设备也可以用作DO-15供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@150V,正向电压Vf Max If为950mV@2A,直流反向电压Vr Max为150V,电流平均整流Io为2A,反向恢复时间trr为50ns,电容Vr F为70pF@4V,1MHz,工作温度结范围为-65°C~150°C,Pd功耗为3.15 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-65 C,Vf正向电压为0.95 V,Vr反向电压为150 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为2 A,最大浪涌电流为75 A,恢复时间为50ns。
EGP20BHE3/73是DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC,包括950mV@2A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V直流反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-204AC(DO-15)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,该系列设计为在SUPERECTFIERR中工作,以及50ns反向恢复时间trr,该设备还可以用作磁带盒(TB)封装。此外,封装外壳为DO-204AC,DO-15,轴向,其工作温度结范围为-65°C~150°C,装置具有安装型通孔,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@100V,电流平均整流Io为2A,电容Vr F为70pF@4V,1MHz。
带有电路图的EGP20B-TP,包括2A电流平均整流Io,它们设计为在5μa@100V电流反向泄漏Vr的情况下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供安装类型特征,如通孔,其工作温度结区范围为-55°C~150°C,以及DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳,该装置也可以用作切割带(CT)包装。此外,反向恢复时间trr为50ns,设备提供快速恢复=20mA(Io)速度,设备具有DO-15供应商设备包,电压DC反向Vr Max为100V,电压正向Vf Max If为1V@2A。