9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UG8GT-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UG8GT-E3/45参考价格为0.52107美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UG8GT-E3/45封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC。您可以下载UG8GT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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UG8FT-E3/45是DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC，包括超快速恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于to-220-2，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-220AC供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@300V，正向电压Vf Max If为1.25V@8A，直流反向电压Vr Max为300V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为50ns，它的工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-40°C，20 A时Vf正向电压为1.4 V，Vr反向电压为300 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为110 A，恢复时间为50 ns。
UG8FTHE3/45是DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC，包括1.25V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在300V电压DC反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220AC的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在50ns内工作等速度特性，该器件也可用作TO-220-2封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@300V，电流平均整流Io为8A。
UG8DTHE3/45是DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-220-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-220AC，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1V@8A。
