9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的UFS360GE3/TR13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UFS360GE3/TR13价格参考1.44000美元。Microchip Technology UFS360GE3/TR13封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A DO215AB。您可以下载UFS360GE3/TR13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UFS360G/TR13，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于与DO-215AB、SMC鸥翼封装盒一起操作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-215AA，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作10μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.2V@3A，该器件提供600V直流反向电压Vr Max，该器件具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为60ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
带用户指南的UFS360GE3/TR13，包括1.2V@3A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-215AB中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为60ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该装置也可作为DO-215AB、SMC鸥翼包装盒使用，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该装置为表面安装型，该装置具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为3A。
UFS350JE3/TR13是DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@500V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及DO-214AB，SMC包装盒，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，设备具有DO-214AB供应商设备包，电压DC反向Vr Max为500V，电压正向Vf Max If为1.1V@3A。
