9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYT77-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYT77-TAP参考价格为0.52470美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYT77-TAP封装/规格：DIODE-AVALANCHE 800V 3A SOD64。您可以下载BYT77-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYT62-TR是DIODE AVALANCH 2.4KV 350MA SOD57，包括标准回收整流器产品，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.013016盎司的包装，具有通孔等安装方式特征，包装箱设计用于SOD-57、轴向、，该装置也可以用作SOD-57供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为5μa@2400V，电压正向Vf Max If为3.6V@1A，电压直流反向Vr Max为2400V（2.4kV），电流平均整流Io为350mA，反向恢复时间tr为5μs，它的工作温度结范围为175°C（最大），最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为3.6 V（1 A），Vr反向电压为2400 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为0.35 A，最大浪涌电流为10 A，恢复时间为5000 ns。
BYT71-800是DIODE GEN PURP 800V 6A TO220AC，包括1.4V@6A电压正向Vf Max。如果它们设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-220AC的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在300ns内运行，该器件也可用作TO-220-2封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为20μa@800V，电流平均整流Io为6A。
BYT77-RAS17.5-12，带有VISHAY制造的电路图。BYT77-RAS17.5-12采用2K封装，是IC芯片的一部分。
