9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYW53-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYW53-TAP参考价格为0.24750美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYW53-TAP封装/规格：DIODE-AVALANCHE 400V 2A SOD57。您可以下载BYW53-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYW52-TAP是DIODE AVLANCHE 200V 2A SOD57，包括标准回收整流器产品，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装包装一起使用，单位重量如数据表注释所示，用于0.013016盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于SOD-57、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为4μs，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1 V（1 A），Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为50 A，恢复时间为4000 ns。
BYW52-TR是DIODE AVLANCHE 200V 2A SOD57，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了200V中使用的电压DC反向Vr Max，该200V提供1 a时的1 V正向电压特性，单位重量设计为369 mg，以及SOD-57供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为4μs，该设备的恢复时间为4000 ns，该设备具有标准的产品恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SOD-57，轴向，其工作温度接合范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μA@200V，电流平均整流Io为2A，配置为单一。
BYW51G-200-TR是由ST制造的DIODE ARRAY GP 200V 10A D2PAK。BYW51G-100-TR有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是二极管、整流器-阵列的一部分，并支持DIODE AR RAY GP 200 V 10A D2PAG、二极管阵列1对公共阴极标准200V 10A表面安装TO-263-3，D？Pak（2导联+标签），TO-263AB。
