9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N3880，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N3880参考价格$4.90200。GeneSiC半导体1N3880封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 6A DO4。您可以下载1N3880英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3879R是DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4，包括1N3879系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装方式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4螺柱包装箱，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-4，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为15μa@50V，电压正向Vf Max If为1.4V@6A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为6A，反向恢复时间trr为200ns，其工作温度结范围为-65°C~150°C，Vf正向电压为1.4 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为15 uA，If正向电流为6 A，最大浪涌电流为90 A，恢复时间为200 ns。
1N3879是DIODE GEN PURP 50V 6A DO4，包括50 V Vr反向电压，它们设计为在1.4V@6A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的电压DC反向Vr Max，提供1.4 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.246918盎司，以及DO-4供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为1N3879，该设备提供200ns反向恢复时间trr，该设备具有200ns的恢复时间，产品为快速恢复整流器，包装为散装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度接合范围为-65°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为90 A，Ir反向电流为15 uA，如果正向电流为6 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为15μA@50V，电流平均整流Io为6A。
1N3828A-1是DIODE ZENER 6.2V 1W DO204AL，包括3μA@3V电流反向泄漏Vr，它们设计为在2欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~175°C，包装箱设计为在DO-204AL、DO-41、轴向以及散装包装中工作，该设备也可作为1W最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-204AL（DO-41），该设备提供±5%的容差，该设备具有1.2V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为6.2V。
