9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYW83TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYW83TAP参考价格为0.52470美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYW83TAP封装/规格：DIODE AVLANCHE 400V 3A SOD64。您可以下载BYW83TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYW82-TR是DIODE AVLANCHE 200V 3A SOD64，包括BYW82系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.030265盎司，安装样式设计用于通孔，它的工作温度范围为-55℃至+175℃，该装置也可以用作SOD-64轴向封装外壳。此外，安装类型为通孔，该器件在SOD-64供应商器件包中提供，该器件具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为1V@3A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为7.5μs，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为1uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为6ns。
BYW82-TAP是DIODE AVLANCHE 200V 3A SOD64，包括1V@3A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-64的供应商设备包，该SOD-64提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为在7.5μs内工作，除了磁带盒（TB）替代封装外，该器件还可以用作SOD-64轴向封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管雪崩型，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
BYW81P-200是DIODE GEN PURP 200V 15A TO220AC，包括15A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作20μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-220-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为40ns，设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，设备具有供应商设备包的TO-220AC，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.15V@25A。
