9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYT77-TR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BYT77-TR参考价格为0.52470美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYT77-TR封装/规格:DIODE AVLANCHE 800V 3A SOD64。您可以下载BYT77-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYT77-TAP是DIODE AVLANCHE 800V 3A SOD64,其中包括快速恢复整流器产品,它们设计为使用磁带盒(TB)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.030265盎司,具有通孔等安装类型功能,包装箱设计为SOD-64、轴向以及通孔安装类型,该设备也可以用作SOD-64供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型雪崩,电流反向泄漏Vr为5μa@800V,正向电压Vf Max If为1.2V@3A,直流反向电压Vr Max为800V,电流平均整流Io为3A,反向恢复时间trr为250ns,其工作温度结范围为-55°C~175°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为1.2 V,Vr反向电压为800 V,Ir反向电流为1 uA,If正向电流为3 A,最大浪涌电流为100 A,恢复时间为250 ns。
BYT71-800是DIODE GEN PURP 800V 6A TO220AC,包括1.4V@6A电压正向Vf Max。如果它们设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-220AC的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)、反向恢复时间trr设计为在300ns内运行,该器件也可用作TO-220-2封装盒,其工作温度结范围为-65°C~150°C,该器件为通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为20μa@800V,电流平均整流Io为6A。
BYT77-RAS17.5-12,带有VISHAY制造的电路图。BYT77-RAS17.5-12采用2K封装,是IC芯片的一部分。