9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS3B-E3/9AT,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。RS3B-E3/9AT参考价格为0.24757美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS3B-E3/9AT封装/规格:DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB。您可以下载RS3B-E3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS3B-E3/57T是DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB,包括切割胶带(CT)替代包装包装,它们设计用于RS3B-E3/9AT零件别名,单位重量显示在数据表注释中,用于0.007408盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于DO-214AB、SMC以及表面安装型,该设备也可以用作DO-214AB(SMC)供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=20mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@100V,电压正向Vf Max If为1.3V@2.5A,电压直流反向Vr Max为100V,电流平均整流Io为3A,反向恢复时间trr为150ns,电容Vr F为44pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55℃~150℃,最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,Vf正向电压为1.3 V,如果正向电流为3 A,最大浪涌电流为100 A,恢复时间为150 ns。
RS3BBF,带有TOSHIBA/VISHAY制造的用户指南。RS3BF以SMBF封装形式提供,是IC芯片的一部分。
RS3B-E3,带有VISHAY制造的电路图。RS3B-E3采用DO-214封装,是二极管、整流器-单体的一部分。