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JAN1N4372D-1，带销细节，包括军用MIL-PRF-19500/127系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004586盎司，提供安装类型特征，如通孔，长度设计为5.08 mm，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-35供应商设备包中提供，该设备具有±1%的公差，电压齐纳标称Vz为3V，阻抗最大Zzt为29欧姆，电流反向泄漏Vr为30μa@1V，电压正向Vf最大If为1.1V@200mA，直径为2.29 mm。
JAN1N454-1是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35，包括1V@10mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-35中使用的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=，系列设计用于军用MIL-PRF-19500/144，以及4ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-204AH，DO-35，轴向，其工作温度结范围为-55°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为200mA。
JAN1N4372DUR-1带电路图，包括30μA@1V电流反向泄漏Vr，设计用于直径为1.7 mm的情况，阻抗最大值Zzt如数据表注释所示，用于29欧姆，提供3.7 mm等长度特性，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装样式，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为DO-213AA，装置为散装包装，装置为军用MIL-PRF-19500/127系列，供应商装置包装为DO-213A，公差为±1%，单位重量为0.001270盎司，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为3V。
