9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS3KHE3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS3KHE3_A/I参考价格为0.24757美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS3KHE3_A/I封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB。您可以下载RS3KHE3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS3KHE3/57T是DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与DO-214AB SMC封装盒一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AA（SMC），速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及标准二极管类型，该器件还可以用作10μA@800V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.3V@2.5A，该器件提供800V电压直流反向Vr Max，该器件具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为500ns，电容Vr F为34pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
RS3KHE3/9AT是DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB，包括1.3V@2.5A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AB（SMC），提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为500ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AB、SMC封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@800V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为34pF@4V，1MHz。
RS3KF，电路图由东芝/VISHAY制造。RS3KF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
