9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE10PJHM3/85A,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SE10PJHM3/85A参考价格为0.09889美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE10PJHM3/85A封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA。您可以下载SE10PJHM3/85A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE10PG-M3/85A是DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA,包括eSMPR系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)交替包装包装,包装箱如数据表注释所示,用于DO-220AA,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于DO-220A(SMP),以及标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度,该设备也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为5μA@400V,该设备提供1.05V@1A电压正向Vf Max。如果,该设备具有400V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为780ns,其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
SE10PJ-E3/84A是DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA,包括1.05V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V直流反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-220AA(SMP)的供应商设备包,该设备提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),以及780ns反向恢复时间trr,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,封装外壳为DO-220AA,其工作温度结范围为-55°C~175°C,装置具有安装型表面安装,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@600V,电流平均整流Io为1A。
SE10PJ-E3/85A是DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA,包括1A电流平均整流Io,它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作5μa,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供了表面安装等安装类型功能,其工作温度结范围为-55°C~175°C,以及DO-220AA封装外壳,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,反向恢复时间trr为780ns,该设备采用eSMPR系列,该设备的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),供应商设备包为DO-220AA(SMP),直流反向电压Vr最大值为600V,正向电压Vf最大值为1.05V@1A。