9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4947GP-E3/73,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4947GP-E3/73参考价格$9.614。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4947GP-E3/73包装/规格:DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL。您可以下载1N4947GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4947GP-E3/54是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL,包括SUPERCTIFIERR系列,它们设计用于快速恢复整流器产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供零件别名功能,如1N4947GP E3/73,单位重量设计为0.011711盎司,以及通孔安装类型,该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外,安装类型为通孔,该设备在DO-204AL(DO-41)供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为1μa@800V,电压正向Vf Max If为1.3V@1A,电压直流反向Vr Max为800V,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为250ns,电容Vr F为15pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C~175°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围是-65 C,Vf正向电压为1.3V,Vr反向电压为800V,并且Ir反向电流为1uA,并且如果正向电流为1A,则最大浪涌电流为25A,并且恢复时间为250ns。
1N4947GP-E3/53是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL,包括1.3V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在800V直流反向电压Vr Max下运行,供应商设备包如数据表注释所示,用于DO-204AL(DO-41),提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,系列设计用于汽车、AEC-Q101、超级整流器、,以及250ns反向恢复时间trr,该设备还可以用作磁带盒(TB)封装。此外,封装外壳为DO-204AL,DO-41,轴向,其工作温度结范围为-65°C~175°C,装置具有安装型通孔,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为1μa@800V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为15pF@4V,1MHz。
1N4947GP-E3,带有VISHAY制造的电路图。1N4947GP-E3采用DO-204AL封装,是二极管、整流器-单体的一部分。