9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N3671AR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N3671AR参考价格$4.23450。GeneSiC半导体1N3671AR封装/规格：DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4。您可以下载1N3671AR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3671A是DIODE GEN PURP 800V 12A DO4，包括1N3671系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4、螺柱包装箱，该设备也可用作机箱、，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-4，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，电压正向Vf Max If为1.1V@12A，电压反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为12A，其工作温度结范围为-65°C~200°C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为800V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为12A，最大浪涌电流为240A。
1N3647是整流器D MET 250MA STD 3KV，包括3 kV Vr反向电压，它们设计为在5 V Vf正向电压下工作，恢复时间显示在数据表注释中，用于2.5 us，提供标准恢复整流器等产品功能，包装设计为散装工作，其工作温度范围为-65 C至+175 C，该设备也可以用作轴向安装型，其最低工作温度范围为-65℃，该设备的最大浪涌电流为14 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为20 uA，如果正向电流为600 mA，配置为单一。
1N3671是由Microsemi制造的整流器标准整流器（trr大于500ns）。1N3671采用DO-4封装，是二极管、整流器阵列的一部分，支持整流器标准整流器（trr大于500ns）、二极管。
