9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N1200AR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N1200AR价格参考$4.23450。GeneSiC半导体1N1200AR封装/规格：DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4。您可以下载1N1200AR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N1200A是DIODE GEN PURP 100V 12A DO4，包括1N1200系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装方式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4、螺柱包装箱，该设备也可用作机箱、，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-4，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，正向电压Vf Max If为1.1V@12A，直流反向电压Vr Max为100V，电流平均整流Io为12A，其工作温度结范围为-65°C~200°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为12 A，最大浪涌电流为240 A。
1N1200是整流器标准整流器（trr大于500ns），包括散装包装。
1N1199R是由Microsemi制造的整流器标准整流器（trr大于500ns）。1N1199R采用DO-4封装，是二极管、整流器阵列的一部分，支持整流器标准整流器（trr大于500ns）、二极管。
