9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N647-1E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N647-1E3价格参考1.99499美元。Microchip Technology 1N647-1E3封装/规格：信号/计算机二极管。您可以下载1N647-1E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N6475US，带引脚细节，包括齐纳型，它们设计用于散装封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SMD/SMT等终端样式功能，长度设计为0.245英寸，宽度为0.202英寸，该设备也可用作SQ-MELF、G封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有通用用途，供应商设备包为G-MELF（D-5C），单向信道为1，电压反向间隔类型为40.3V，电压击穿最小值为43.7V，电压钳位最大值Ipp为63.5V，电流峰值脉冲10 1000μs为135A（8/20μs），功率峰值脉冲为1500W（1.5kW），电源线保护为No，Pd功耗为1.5kW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，击穿电压为43.7 V，钳位电压为63.5 V，峰值浪涌电流为24 A，工作电压为40.3V，极性为单向。
带用户指南的1N6476US，包括51.6V工作电压，其设计工作宽度为0.202英寸，电压反向间隔类型如数据表注释所示，用于51.6V，提供电压钳位最大Ipp功能，如78.5V，电压击穿最小值设计工作电压为54V，以及1个单向信道，该设备也可以用作齐纳型。此外，终端类型为SMD/SMT，该设备采用G-MELF（D-5C）供应商设备包提供，该设备具有1500W（1.5kW）功率峰值脉冲，电源线保护为否，极性为单向，峰值浪涌电流为19A，Pd功耗为1.5kW，包装为散装，包装箱为SQ-MELF，G，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65℃，最大工作温度范围+175℃，长度为0.245英寸，电流峰值脉冲1000μs为107A（8/20μs），钳位电压为78.5 V，击穿电压为54 V，应用程序是通用的。
1N6476是TVS DIODE 51.6VWM GPKG AXIAL，包括通用应用，它们设计为在54 V击穿电压下工作，数据表注释中显示了用于78.5 V的钳位电压，提供电流峰值脉冲10 1000μs的特性，如107A（8/20μs），长度设计为在9.53 mm内工作，最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-65℃。此外，安装类型为通孔，该设备采用通孔安装方式，其工作温度范围在-55℃~175℃（TJ）之间，包装箱为G，轴向，包装为散装，Pd功耗为1.5 kW，峰值浪涌电流为19 A，极性为单向，电源线保护为否，功率峰值脉冲为1500W（1.5kW），供应商设备封装为轴向，终端类型为轴向，类型为齐纳，单向通道为1，电压击穿最小值为54V，电压钳位最大值Ipp为78.5V，电压反向间隔典型值为51.6V，宽度为4.7mm，工作电压为51.6VV。
1N6478，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。1N6478采用DO-213AB封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
