9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S07M-M-08,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。S07M-M-08参考价格为0.09900美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S07M-M-08包装/规格:DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB。您可以下载S07M-M-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S07M-GS18是DIODE STD REC 1000V DO219AB,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,包装箱如数据表注释所示,用于DO-219AB,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包装设计用于DO-219B(SMF),以及标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为10μA@1000V,该器件提供1.1V@1A电压正向Vf Max If,该器件具有1000V(1kV)电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为700mA,反向恢复时间trr为1800ns,电容Vr F为4pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
S07M-GS08是DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO219,包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在1000V(1KV)电压直流反向Vr Max下运行,则数据表中显示了DO-219AB(SMF)中使用的供应商设备包,该DO-219A提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),反向恢复时间trr设计为1.8μs,除了Digi-ReelR替代封装外,该器件还可以用作DO-219AB封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@1000V,电流平均整流Io为1.5A,电容Vr F为4pF@4V,1MHz。
S07M-GSO8,带有VISHAY制造的电路图。S07M-GSO8采用SOD123FL封装,是IC芯片的一部分。