9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的S12G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S12G价格参考$4.23450。GeneSiC半导体S12G封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 12A DO4。您可以下载S12G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S12DR是DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4，包括S12系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4、螺柱包装箱，该设备也可用作机箱、，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-4，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，正向电压Vf Max If为1.1V@12A，直流反向电压Vr Max为200V，电流平均整流Io为12A，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为12A，最大浪涌电流为280A。
S12D是DIODE GEN PURP 200V 12A DO4，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@12A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了200V中使用的电压直流反向Vr Max，提供了1.1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.246918盎司，以及DO-4供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为S12，该装置在标准回收整流器产品中提供，该装置具有大量包装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度结区范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为280A，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为12A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，电流平均整流Io为12A。
S12B-ZR-SM4A-TF（LF）（SN）是CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM，包括自然色，它们设计为与接头、护罩连接器类型一起工作，触点表面处理如数据表注释所示，用于锡中，该锡具有公引脚等触点类型功能，紧固类型设计为在止动锁中工作，以及焊料保持功能，该设备也可以用作表面安装、直角安装型。此外，位置数为12，设备在所有加载位置数中提供，设备的行数为1，包装为Digi-ReelR交替包装，节距为0.059“（1.50mm），系列为ZH，终端为焊料。
