9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的S12M，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。120万美元的参考价格为4.23450美元。GeneSiC半导体S12M封装/规格：DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4。您可以下载S12M英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S12JR是DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4，包括S12系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4螺柱包装箱，该设备也可用作底盘、，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-4，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，正向电压Vf Max If为1.1V@12A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为12A，其工作温度结范围为-65°C~175°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为12 A，最大浪涌电流为280 A。
S12KR是DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@12A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了800V中使用的电压DC反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.246918盎司，以及DO-4供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为S12，该装置在标准回收整流器产品中提供，该装置具有大量包装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度结区范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为280A，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为12A，二极管类型为标准，则反向极性，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，电流平均整流Io为12A。
S12K是二极管GEN PURP 800V 12A DO4，包括12A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供了如果正向电流功能，如12A，Ir反向电流设计为在10uA下工作，以及280A最大浪涌电流，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，安装类型为通孔，其工作温度接合范围为-65°C~175°C，装置具有DO-203AA、DO-4、包装箱螺柱，包装为散装，产品为标准回收整流器，系列为S12，速度为标准回收>500ns，>200mA（Io），供应商装置包装为DO-4，单位重量为0.246918盎司，Vf正向电压为1.1V，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.1V@12A，Vr反向电压为800V。
