9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UGB8AT-E3/81,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。UGB8AT-E3/81价格参考0.78751美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UGB8AT-E3/81封装/规格:DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB。您可以下载UGB8AT-E3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UGB6124AG是IC MOD DIODE 1PHASE BRIDGE UGB1,包括UGB6124G系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于散装,提供安装类型功能,如螺钉,包装箱设计用于UGB-1,以及底盘安装型,该设备也可以用作UGB-1供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备为单相二极管类型,该设备具有10500V的电压峰值反向最大值和正向直流电流。如果最大值为1A,则其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,在7 a时Vf正向电压为6.25 V,Vr反向电压为10500 V,Ir反向电流为1000uA,如果正向电流为4.2A,则最大浪涌电流为50A。
UGB5JTHE3/81是DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB,包括1.75V@5A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)、反向恢复时间trr设计为50ns、,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为30μa@600V,并且电流平均整流Io为5A。
UGB5JTHE3/45是二极管GEN PURP 600V 5A TO263AB,包括5A电流平均整流Io,它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作30μa,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准提供安装型功能,如表面安装,其工作温度结范围为-55°C~150°C,以及to-263-3,D2Pak(2引线+标签),TO-263AB包装盒,该设备也可作为管替代包装包装使用。此外,反向恢复时间trr为50ns,该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有供应商设备包的TO-263AB,电压DC反向Vr Max为600V,电压正向Vf Max If为1.75V@5A。