9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N4150-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N4150-1参考价格2.70000美元。Microchip Technology JATXV1N4150-1包装/规格：DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35。您可以下载JATXV1N4150-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N4148UB2，带引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/116系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于3-SMD、无引线、提供表面安装等安装类型功能的包装盒，供应商设备包装设计用于UB，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@75V，器件提供1.2V@100mA电压正向Vf Max。如果，器件具有75V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为20ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~200°C。
JATXV1N4148UB2R，带用户指南，包括1.2V@100mA正向电压Vf Max。如果设计为在75V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于UB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/116，以及20ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为3-SMD，无引线，其工作温度结范围为-65°C~200°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@75V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为4pF@0V，1MHz。
JATXV1N4148UR-1是DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA，包括4pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于25nA@20V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件也可以用作DO-213AA封装盒。此外，包装为散装，设备提供20ns反向恢复时间trr，设备具有军用MIL-PRF-19500/116系列，速度为小信号=，供应商设备包装为DO-213AA，电压直流反向Vr最大值为75V，电压正向Vf最大值为1.2V@100mA。
