9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-8EWF06STR-M3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-8EWF06STR-M3参考价格$2.01597。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-8EWF06STR-M3封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK。您可以下载VS-8EWF06STR-M3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-8EWF04STRRPBF是DIODE GEN PURP 8A DPAK,包括快速恢复整流器产品,它们设计为与磁带和卷轴(TR)交替包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于8EWF04SRRPBF的零件别名,该8EWF04 STRRPBF提供单位重量功能,例如0.009185盎司,安装样式设计为在SMD/SMT中工作,它的工作温度范围为-40℃至+150℃,该器件也可以用作to-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装盒。此外,安装类型为表面安装,该设备采用D-PAK(TO-252AA)供应商设备包提供,该设备具有单双阳极配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为标准,电压正向Vf Max If为1.2V@8A,电流平均整流Io为8A,反向恢复时间trr为200ns,其工作温度结范围为-40°C~150°C,最大工作温度范围为+150°C;最小工作温度范围-40°C,Vf正向电压为1.2 V,Vr反向电压为400 V,Ir反向电流为100 uA,If正向电流为8 A,最大浪涌电流为200 A,恢复时间为140 ns。
VS-8EWF06SPBF是DIODE FAST RECOVERY 8A DPAK,包括600 V Vr反向电压,它们设计为在1.2 V@8A电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于600V的直流反向Vr Max,提供1.2 V等Vf正向电压特性,单位重量设计为0.009185 oz,以及to-252(D-Pak)供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为200ns,该设备提供140 ns恢复时间,该设备具有产品快速恢复整流器,零件别名为8EWF06SPBF,包装为管,包装盒为TO-252-3,DPak(2引线+接线片),SC-63,其工作温度结区范围为-40°C~150°C,安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-40℃,最大浪涌电流为200 A,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为100 uA,如果正向电流为8 A,二极管类型为标准型,反向泄漏电流Vr为100μA@600V,平均整流电流Io为8A,配置为单双阳极。
VS-8EWF06S-M3是二极管GEN PURP 600V 8A TO252AA,包括8A电流平均整流Io,它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作100μa,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准具有表面安装等安装类型特征,其工作温度结范围为-40°C~150°C,以及to-252-3,DPak(2引线+接线片),SC-63包装盒,该设备也可以用作管包装。此外,反向恢复时间trr为55ns,该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有供应商设备包的D-PAK(TO-252AA),电压DC反向Vr Max为600V,电压正向Vf Max If为1.2V@8A。