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1N4454-TAP是DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH，包括超快速恢复整流器产品，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.004409盎司，具有通孔等安装方式特征，包装箱设计为适用于DO-204AH、DO-35、轴向、，该设备也可以用作DO-204AH（DO-35玻璃）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备以小信号=速度提供，该设备具有二极管类型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@75V，电压正向Vf Max If为1V@10mA，电压直流反向Vr Max为75V，电流平均整流Io为150mA，反向恢复时间trr为4ns，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA（75 V），If正向电流为200 mA，最大浪涌电流为0.5 A，恢复时间为4 ns。
1N4454-TR是DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH，包括1V@10mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-204AH（DO-35玻璃）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为4ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-204AH、DO-35轴向包装盒，其工作温度结范围为175°C（最大值），该设备采用通孔安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@75V，电流平均整流Io为150mA。
1N4454TR是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35，包括4pF@0V，1MHz电容Vr F，设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为切割胶带（CT）交替包装，设备以4ns反向恢复时间trr提供，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为DO-35，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@10mA。
