9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYW35-TR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BYW35-TR参考价格为0.28710美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYW35-TR封装/规格:DIODE AVLANCHE 500V 2A SOD57。您可以下载BYW35-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYW34-TR是DIODE AVLANCHE 400V 2A SOD57,包括快速恢复整流器产品,它们设计为与磁带和卷轴(TR)交替包装包装一起使用,单位重量如数据表注释所示,用于0.013016盎司的包装,具有通孔等安装方式特征,包装箱设计为在SOD-57、轴向以及通孔安装类型中工作,该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=20mA(Io)速度,该设备具有二极管型雪崩,电流反向泄漏Vr为5μa@400V,电压正向Vf Max If为1.1V@1A,电压直流反向Vr Max为400V,电流平均整流Io为2A,反向恢复时间trr为200ns,它的工作温度结范围为-55°C~175°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围是-55 C,Vf正向电压为1.1 V(1 A),Vr反向电压为400 V,Ir反向电流为5 uA,If正向电流为2 A,最大浪涌电流为50 A,恢复时间为200 ns。
BYW34-TAP是DIODE AVLANCHE 400V 2A SOD57,包括400 V Vr反向电压,它们设计为在1.1 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max,该400V提供1.1 V的正向电压特性,例如1 a,单位重量设计为0.013016盎司,以及SOD-57供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为200ns,该设备在200ns恢复时间内提供,该设备具有产品快速恢复整流器,包装为磁带盒(TB)交替包装,包装箱为SOD-57,轴向,其工作温度接合范围为-55°C~175°C,安装方式为通孔,安装类型为通孔,它的最小工作温度范围为-55 C,最大浪涌电流为50 A,最大工作温度范围+175 C,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为2 A,二极管类型为雪崩,电流反向泄漏Vr为5μA@400V,电流平均整流Io为2A,配置为单一。
BYW35-TAP是二极管AVLANCHE 500V 2A SOD57,包括单一配置,它们设计用于2A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μa@500V,提供二极管类型功能,如雪崩,如果正向电流设计用于2A,以及5μa Ir反向电流,它的最大工作温度范围为+175℃。此外,最大浪涌电流为50 A,最小工作温度范围是-55℃,装置有一个安装型通孔,安装类型为通孔,其工作温度连接范围为-55℃~175℃,封装外壳为SOD-57,轴向,包装为磁带盒(TB)交替包装,产品为快速恢复整流器,恢复时间为200ns,反向恢复时间trr为200ns;速度为快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为SOD-57,单位重量为0.013016oz,Vf正向电压为1.1V(1A),电压DC反向Vr Max为500V,电压正向Vf Max If为1.1V@1A,Vr反向电压为500V。