9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N4154-1E3/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4154-1E3/TR价格参考2.77498美元。Microchip Technology 1N4154-1E3/TR封装/规格：信号/计算机二极管。您可以下载1N4154-1E3/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N4154-1E3/TR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N4154TAP是DIODE GEN PURP 25V 150MA DO35，包括磁带盒（TB）替代包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@25V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1V@30mA，该器件提供25V电压直流反向Vr Max，该器件具有150mA的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N4154_T50R，带用户指南，包括1V@30mA电压正向Vf最大值。如果设计为在35V电压直流反向Vr最大值下运行，则DO-35中使用的数据表说明中显示了供应商设备包，该设备包提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为在4ns内工作，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@25V，电流平均整流Io为100mA，电容Vr F为4pF@0V，1MHz。
1N4154TR是DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35，包括4pF@0V、1MHz电容Vr F，设计用于100MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@25V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备以4ns反向恢复时间trr提供，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为DO-35，电压DC反向Vr Max为35V，电压正向Vf Max If为1V@30mA。
1N4154是DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35，包括通孔安装型，设计用于标准二极管型，速度如数据表注释所示，用于提供DO-35等供应商设备包功能的小信号=，包壳设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及散装包装，该设备也可用于4pF@0V，1MHz电容Vr F。此外，反向恢复时间trr为4ns，设备提供35V电压DC反向Vr Max，设备具有1V@30mA电压正向Vf Max If，其工作温度结范围为175°C（最大值），电流反向泄漏Vr为100nA@25V，电流平均整流Io为100mA。
