9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V10P8-M3/86A,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。V10P8-M3/86A参考价格为0.28858美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V10P8-M3/86A封装/规格:DIODE SCHOTTKY 80V 3.9A TO277A。您可以下载V10P8-M3/86A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V10P75P,包括LV UltraMOV?系列,它们设计用于MOV产品,类型如数据表注释所示,用于径向引线变阻器,该变阻器具有散装、额定电流设计为25 a以及径向终端类型等封装功能,该设备也可以用作UltraMOV商品名。此外,安装方式为通孔,装置宽度为5.6 mm,装置有一个直径为10mm的封装盒,电容为1100 pF,安装方式是通孔,电路数量为1,引线间距为8.5 mm,直径为10 mm,压敏电阻最小电压为108V,压敏电阻电压典型值为120V,压敏电阻器电压最大值为132V,电流浪涌为3.5kA,最大交流电压为75VAC,最大直流电压为100VDC,能量为29J,额定交流电压为75 VAC,额定直流电压为100 VDC,钳位电压为200 V,峰值浪涌电流为3500 A,变阻器电压为120 VDC,浪涌能量为29 J。
V10P6-M3/86A带用户指南,包括590mV@10A正向电压Vf Max。如果设计为在60V直流反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-277A(SMPC)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR、TMBSR、,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该器件还可以用作TO-277、3功率DFN封装盒,其工作温度结范围为-40°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管肖特基型,电流反向泄漏Vr为1.9mA@60V,电流平均整流Io为4.3A。
V10P6-M3/87A带电路图,包括4.3A电流平均整流Io,它们设计为在1.9mA@60V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于肖特基,提供表面安装等安装类型功能,其工作温度结范围为-40°C~150°C,以及to-277,3-PowerDFN封装外壳,该设备也可以用作胶带和卷筒(TR)替代包装包装。此外,该系列为Automotive、AEC-Q101、eSMPR、TMBSR,该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有供应商设备包的TO-277A(SMPC),电压DC反向Vr Max为60V,电压正向Vf Max If为590mV@10A。