9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的1N5418C.TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5418C.TR参考价格$3.98400。Semtech Corporation 1N5418C.TR包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL。您可以下载1N5418C.TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5417TR是DIODE AVLANCHE 200V 3A SOD64，包括1N54xx系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.030265盎司，安装样式设计用于通孔，以及SOD-64轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为SOD-64，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为1.5V@9A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为100ns，工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为100ns。
1N5417-TAP是DIODE AVLANCHE 200V 3A SOD64，包括200V Vr反向电压，设计用于在1.5V@9A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于200V的直流反向Vr Max，该200V提供1.1 V的正向电压特性，单位重量设计用于0.030265盎司，以及SOD-64供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为1N54xx，该设备提供100ns反向恢复时间trr，该设备具有100ns的恢复时间，产品为快速恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为SOD-64，轴向，其工作温度接合范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为100 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μA@200V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
1N5418是DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF，包括单一配置，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于4.5 a，以及20μa Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175℃。此外，最大浪涌电流为150 A，最小工作温度范围是-65℃，该设备有一个安装型通孔，安装方式为轴向，工作温度连接范围为-65℃~175℃，工作温度范围在-65℃至+175℃之间，包装箱为SQ-MELF，B，包装为散装，产品为快速恢复整流器，恢复时间为150ns，反向恢复时间trr为150ns；速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为B，SQ-MELL，Vf正向电压为1.1V，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.5V@9A，Vr反向电压为400V。
1N5417US是DIODE GEN PURP 200V 3A D5B，包括表面安装型，它们设计为与标准二极管型一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，封装盒设计为在E-MELF中工作，以及D-5B供应商设备封装，该器件也可以用作散装封装，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件提供3A电流平均整流Io，该器件具有200V电压DC反向Vr Max，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，反向恢复时间trr为150ns，电压正向Vf Max If为1.5V@9A。
