9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的1N5617C.TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5617C.TR参考价格$3.98400。Semtech Corporation 1N5617C.TR包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL。您可以下载1N5617C.TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5616是DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于轴向，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于a、轴向以及通孔安装型，该设备也可以用作单一配置。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有500nA@400V的反向漏电Vr，正向电压Vf Max If为1.3V@3A，直流反向电压Vr Max为400V，平均整流电流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，它的工作温度结范围为-65°C~200°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为2 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为2 us。
1N5615GPHE3/54是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC，包括1.2V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-204AC（DO-15）的供应商设备包，其提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io），系列设计为在SUPERECTFIERR中工作，以及150ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AC，DO-15，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为500nA@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为25pF@4V，1MHz。
1N5615US是DIODE GEN PURP 200V 1A D5A，包括45pF@12V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件也可用作SQ-MELF，A封装盒。此外，包装是散装的，该设备以150ns反向恢复时间trr提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为D-5A，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.6V@3A。
1N5615GP-E3-4，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。1N5615GP-E3-4采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
