9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S5D-M3/9AT,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。S5D-M3/9AT参考价格为0.15493美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S5D-M3/9AT封装/规格:DIODE GPP 5A 200V DO-214AB。您可以下载S5D-M3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S5DL-TP是DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB,包括S5DL系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,数据表说明中显示了用于DO-214AB,SMC的包装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于DO-214A B,(SMC),以及标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度,该设备也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为10μA@200V,该器件提供1.2V@5A电压正向Vf Max If,该器件具有200V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为5A,电容Vr F为100pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的S5D-M3/57T,包括1.15V@5A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214AB(SMC)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,反向恢复时间trr设计为2.5μs,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该设备还可以用作DO-214AB、SMC包装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该设备为表面安装型,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@200V,电流平均整流Io为5A,电容Vr F为40pF@4V,1MHz。
S5DL,带有MCC制造的电路图。S5DL采用DO-214AB封装,是二极管、整流器-单体的一部分。