9icnet为您提供Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S5J-M3/9AT,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。S5J-M3/9AT参考价格为0.15493美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S5J-M3/9AT封装/规格:DIODE GPP 5A 600V DO-214AB。您可以下载S5J-M3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S5JL-TP是DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB,包括S5JL系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供单位重量功能,如0.001199盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及DO-214AB,SMC包装箱,该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为DO-214AB(SMC),该设备为单配置,该设备的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为10μa@600V,正向电压Vf Max If为1.2V@5A,直流反向电压Vr Max为600V,平均整流电流Io为5A,它的工作温度结范围为-55°C~150°C,Vr反向电压为600 V,Ir反向电流为80 uA,如果正向电流为5 A,最大浪涌电流为100 A。
带有用户指南的S5J-M3/57T,包括1.15V@5A电压正向Vf Max,如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214AB(SMC)的供应商设备包,该设备提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),反向恢复时间trr设计为2.5μs,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该器件还可以用作DO-214AB、SMC包装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@600V,电流平均整流Io为5A,电容Vr F为40pF@4V,1MHz。
S5JL,带有MCC制造的电路图。S5JL采用DO-214AB SMC封装,是二极管、整流器-单体的一部分。