9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N485A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N485A参考价格$4.05000。Microchip Technology 1N485A封装/规格：DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7。您可以下载1N485A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N485A价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N485是DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7，包括散装封装，设计用于DO-204AA、DO-7、轴向封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-7等供应商设备封装功能，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作25nA@180V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@100mA，该设备提供180V电压DC反向电压Vr Max，该设备具有100mA（DC）的平均整流电流Io，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N484B是DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在125V电压直流反向Vr Max下工作，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-35，提供速度特性，如小信号=，包装设计为散装工作，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度结范围为-65°C~200°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有25nA@125V的反向漏电流Vr，平均整流电流Io为200mA。
带电路图的1N483BUR，包括50mA电流平均整流Io，它们设计为在25nA@225V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-213AA封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，速度是小信号=，设备提供225V电压DC反向Vr Max，设备具有1V@100mA电压正向Vf Max If。
