9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-30EPH03-N3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-30EPH03-N3参考价格$4.06012。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-30EPH03-N3封装/规格:DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AC。您可以下载VS-30EPH03-N3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-30EPF12PBF是DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC,包括快速恢复整流器产品,它们设计用于管式包装,零件别名如数据表注释所示,用于30EPF12PBB,提供单位重量功能,如0.211644盎司,安装类型设计用于通孔,其工作温度范围为-40℃至+150℃,该装置也可用作TO-247-2包装箱。此外,安装类型为通孔,该设备采用TO-247AC改进供应商设备包,该设备具有单一配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为100μa@1200V,电压正向Vf Max If为1.41V@30A,电压直流反向Vr Max为1200V(1.2kV),电流平均整流Io为30A,反向恢复时间trr为160ns,工作温度结范围为-40°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,Vf正向电压为1.41 V,Vr反向电压为1200 V,Ir反向电流为100 uA,如果正向电流为30A,最大浪涌电流为350A,恢复时间为450ns。
VS-30EPF10PBF是DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AC,包括1000 V Vr反向电压,它们设计为在1.41V@30A电压正向Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了用于1000V(1KV)的电压直流反向Vr Max,提供了1.41 V等Vf正向电压特性,单位重量设计为0.211644盎司,以及TO-247AC改进的供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=20mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为450ns,该设备以450ns恢复时间提供,该设备具有产品快速恢复整流器,零件别名为30EPF10PBF,包装为管,包装箱为TO-247-2,其工作温度结范围为-40°C~150°C,安装方式为通孔,安装类型为通孔,它的最小工作温度范围为-40 C,最大浪涌电流为350 A,最大工作温度范围+150 C,Ir反向电流为100 uA,如果正向电流为30 A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为100μA@1000V,电流平均整流Io为30A,配置为单一。
带有电路图的VS-30EPF12-M3,包括30A电流平均整流Io,它们设计为在100μa@1200V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准提供安装类型特征,如通孔,其工作温度结区范围为-40°C~150°C,以及to-247-2封装外壳,该装置也可以用作管包装。此外,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),该设备在TO-247AC改进供应商设备包中提供,该设备具有1200V(1.2kV)直流反向电压Vr Max,正向电压Vf Max If为1.41V@30A。