9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N5806E3/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5806E3/TR参考价格5.92500美元。Microchip Technology 1N5806E3/TR封装/规格：UFR、FRR。您可以下载1N5806E3/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5804US是DIODE GEN PURP 100V 1A D5A，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于SQ-MELF，a，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作D-5A供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电压正向Vf Max If为875mV@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为25pF@10V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为975 mV，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为2.5 A，最大浪涌电流为35 A，恢复时间为25 ns。
1N5804是DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL，包括100V Vr反向电压，它们设计为以875mV@1A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了100V中使用的电压DC反向Vr Max，其提供Vf正向电压特性，如875mV，速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作25ns恢复时间。此外，该产品是超快恢复整流器，该设备采用散装包装，该设备具有a、轴向包装箱，其工作温度范围为-65℃至+175℃，其工作连接温度范围为-165℃~175℃，安装方式为轴向，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为35 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为50 uA，如果正向电流为2.5 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μA@100V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为25pF@10V，1MHz。
1N5805是DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL，包括25pF@10V，1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@125V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及通孔安装类型，其工作温度结范围为-65°C~125°C。此外，包装箱为A，轴向，该设备为散装包装，该设备具有25ns的反向恢复时间trr，速度为快速恢复=20mA（Io），电压DC反向Vr Max为125V，电压正向Vf Max If为875mV@1A。
1N5806是整流器D MET 2.5A SFST 150V，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于单配置，安装方式如数据表注释所示，用于轴向，提供Vf正向电压特性，如875 mV，Ir反向电流设计用于50 uA，以及35 a最大浪涌电流，该设备也可以用作25ns恢复时间。此外，如果正向电流为2.5 A，则该设备的反向电压为150 V Vr，最大工作温度范围为+175 C，工作温度范围在-65 C至+175 C之间，最小工作温度范围是-65 C。
