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JATX1N4245是DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/286系列，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供a、轴向等包装箱功能，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@200V，该器件提供1.3V@3A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为5μs，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATX1N4153UR-1是DIODE GEN PURP 50V 150MA DO213AA，包括550mV@100μA电压正向Vf Max。如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了DO-213AA中使用的供应商设备包，该DO-213A提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/337，以及4ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-213AA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流平均整流Io为150mA，电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
JATX1N4153-1是DIODE GEN PURP 50V 150MA DO204AH，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于150MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于50nA@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装是散装的，该设备以4ns反向恢复时间trr提供，该设备具有小信号=速度，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为880mV@20mA。
