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JATX1N4245是DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/286系列，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供a、轴向等包装箱功能，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@200V，该器件提供1.3V@3A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为5μs，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATX1N4246是DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL，包括1.3V@3A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于标准恢复>500ns，>200mA（Io）的速度，其提供了军用、MIL-PRF-19500/286等系列功能，反向恢复时间trr设计为5μs，与散装包装一样，该设备也可以用作A型轴向包装箱，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该设备采用通孔安装方式，该设备具有安装类型的通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μA@400V，电流平均整流Io为1A。
JATX1N4153UR-1是DIODE GEN PURP 50V 150MA DO213AA，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于150MA电流平均整流Io，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-213AA封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/337系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为DO-213AA，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为550mV@100μa。
