9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N6621US/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N6621US/TR参考价格12.72000美元。Microchip Technology 1N6621US/TR封装/规格：UFR、FRR。您可以下载1N6621US/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N6621是DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL，包括超快恢复整流器产品，它们设计为与散装包装一起工作，数据表注释中显示了用于a，轴向，提供安装类型功能，如通孔，速度设计为在快速恢复=20mA（Io）下工作，以及标准二极管类型，该器件也可以用作500nA@440V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.4V@1.2A，该器件提供440V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有1.2A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为10pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-65℃，Vf正向电压为1.6V，Vr反向电压为440V，Ir反向电流为500nA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为20A，恢复时间为45ns。
1N6620US，带用户指南，包括1.4V@1.2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在220V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了a-MELF中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在30ns内运行，以及散装包装，该器件也可以用作SQ-MELF封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@220V，电流平均整流Io为1.2A，电容Vr F为10pF@10V，1MHz。
1N6620是DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL，包括10pF@10V，1MHz电容Vr F，设计用于1.2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@220V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该装置也可作为A型轴向包装箱使用。此外，包装为散装，设备提供30ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），电压DC反向Vr Max为220V，电压正向Vf Max If为1.4V@1.2A。
1N65L，采用UTC制造的EDA/CAD模型。1N65L采用TO-251封装，是IC芯片的一部分。
