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JATX1N5617是DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/429系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供a、轴向等包装箱功能。安装类型设计用于通孔，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@400V，该器件提供1.6V@3A正向电压Vf Max If，该器件具有400V的直流反向电压Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为35pF@12V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.6 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为500 nA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为25 A，恢复时间为150 ns。
JATX1N5617US是DIODE GEN PURP 400V 1A D5A，包括1.6V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计用于400V电压DC反向电压Vr Max，则数据表说明中显示了用于D-5A的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/429，以及150ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，A，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500μA@400V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为35pF@12V，1MHz。
JATX1N5616US是DIODE GEN PURP 400V 1A D5A，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在500nA@400V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，它的工作温度结范围为-65°C~200°C，该器件也可用作SQ-MELF，A封装盒。此外，包装为散装，设备提供2μs反向恢复时间trr，设备具有军用MIL-PRF-19500/427系列，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为D-5A，直流反向电压Vr最大值为400V，正向电压Vf最大值为1.3V@3A。
