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JATX1N5619US是DIODE GEN PURP 600V 1A D5A，包括军用MIL-PRF-19500/429系列，它们设计用于散装包装，安装类型如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SQ-MELF、a等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及D-5A供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供500nA@600V电流反向泄漏Vr，该器件具有1.6V@3A的正向电压Vf Max If，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为25pF@12V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATX1N5620是DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL，包括1.3V@3A电压正向Vf Max。如果它们设计为在800V电压直流反向Vr Max下工作，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供军用、MIL-PRF-19500/427等系列功能，反向恢复时间trr设计为2μs，除了散装包装外，该器件还可以用作A轴封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~200°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装类型的通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@800V，电流平均整流Io为1A。
JATX1N5620US是DIODE GEN PURP 800V 1A D5A，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在500nA@800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，安装样式设计用于SMD/SMT，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件也可用作SQ-MELF，A封装盒。此外，包装为散装，该设备提供2μs反向恢复时间trr，该设备具有军用MIL-PRF-19500/427系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为D-5A，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.3V@3A。
