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JATX1N5622US带有引脚细节,包括军用MIL-PRF-19500/427系列,它们设计用于散装包装,安装样式如数据表注释所示,用于SMD/SMT,提供SQ-MELF、a等封装盒功能,安装类型设计用于表面安装,以及D-5A供应商设备包,该设备还可以用作标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度。此外,二极管类型为标准型,该器件提供500nA@1000V电流反向泄漏Vr,该器件具有1.3V@3A的正向电压Vf Max If,直流反向电压Vr Max为1000V(1kV),电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为2μs,其工作温度结范围为-65°C~200°C。
JATX1N5622是DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL,包括1.3V@3A电压正向Vf Max。如果设计为在1000V(1KV)电压直流反向Vr Max下运行,速度如数据表注释所示,适用于标准恢复>500ns,>200mA(Io),提供军用、MIL-PRF-19500/427等系列功能,反向恢复时间trr设计为2μs,除了散装包装外,该器件还可以用作A轴封装外壳,其工作温度结范围为-65°C~200°C,该器件采用通孔安装方式,该器件具有安装类型的通孔,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为500nA@1000V,电流平均整流Io为1A。
JATX1N5621US带有电路图,包括20pF@12V、1MHz电容Vr F,它们设计用于1A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于500nA@800V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,以及SMD/SMT安装类型,其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外,包装箱为SQ-MELF,A,该设备为散装包装,该设备具有150ns的反向恢复时间trr,系列为军用MIL-PRF-19500/429,速度为快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为D-5A,电压DC反向Vr Max为800V,电压正向Vf Max If为1.6V@3A。