9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N5802US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N5802US参考价格为16.65000美元。Microchip Technology JATX1N5802US封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A D5A。您可以下载JATX1N5802US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JATX1N5774是TVS DIODE 1WMM 14CFLATPACK，包括军用MIL-PRF-19500/474系列，设计用于转向（轨对轨）型，包装如数据表注释所示，用于散装，提供14扁平封装等包装箱功能，工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），以及表面安装安装型，该设备也可以用作以太网应用。此外，供应商设备包为14扁平封装，该设备提供单向通道，该设备有8个双向通道，电压反向间隔类型为1V（最大值），电源线保护为No。
JATX1N5802URS带有用户指南，包括875mV@1A电压正向Vf Max，如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于a-MELF的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/477，以及25ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，A，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μA@50V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为25pF@10V，1MHz。
JATX1N5802是DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL，包括25pF@10V，1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及通孔安装类型，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为A，轴向，装置为散装包装，装置具有25ns的反向恢复时间trr，系列为军用，MIL-PRF-19500/477，速度为快速恢复=20mA（Io），电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为875mV@1A。
