9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N6628,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。JANTX1N6628参考价格16.71000美元。Microchip Technology JATX1N6628包装/规格:DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL。您可以下载JANTX1N6628英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N6627US是DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B,包括军用MIL-PRF-19500/590系列,它们设计用于散装包装,安装样式如数据表注释所示,用于SMD/SMT,提供SQ-MELF、E等封装盒功能,安装类型设计用于表面安装,以及D-5B供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,二极管类型为标准型,该器件提供2μA@440V电流反向泄漏Vr,该器件具有1.35V@2A电压正向Vf Max If,电压直流反向Vr Max为440V,电流平均整流Io为1.75A,反向恢复时间trr为30ns,电容Vr F为40pF@10V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C~150°C。
JATX1N6627是DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL,包括1.35V@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在440V电压直流反向Vr Max下运行,速度如数据表注释所示,用于快速恢复=20mA(Io),提供军用、MIL-PRF-19500/590等系列功能,反向恢复时间trr设计为30ns,以及散装包装,该器件也可以用作E,轴向封装外壳,其工作温度结范围为-65°C~150°C,该器件采用通孔安装方式,该器件具有安装型通孔,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为2μa@440V,电流平均整流Io为1.75A,电容Vr F为40pF@10V,1MHz。
带有电路图的JATX1N6627U,包括1.75A电流平均整流Io,它们设计为在2μa@400V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准提供表面安装等安装类型功能,其工作温度结区范围为-65°C~150°C,以及SQ-MELF,E封装外壳,该装置也可以用作散装包装。此外,反向恢复时间trr为30ns,该设备在军用MIL-PRF-19500/590系列中提供,该设备的速度快速恢复=200mA(Io),供应商设备包为D-5B,电压DC反向Vr Max为400V,电压正向Vf Max If为1.35V@2A。